Технологии
Изделия КМОП
БТО ТМ 200-01
Установка быстрого термического отжига слоев с базовым ТП отжига и активации примесей после ионной имплантации.
Изофаз ТМ 200-01
Установка низкотемпературного плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения диэлектрических и барьерных нанослоев
Изофаз ТМ 200-02
Установка плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой
Магна ТМ 200-04
Технологический модуль физического осаждения слоёв (PVD) магнетронным распылением.
Плазма ТМ 200-01
Установка плазмохимического анизотропного селективного травления поликристаллического кремния, нитрида кремния и траншей с гладкими щелями для щелевой изоляции
Плазма ТМ 200-03
Установка плазмохимической очистки поверхности, снятия ФРМ и удаления полимеров
Плазма ТМ 200-04
Установка атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистка поверхности.
Эпифаз ТМ 200-01
Установка ГФЭ МОС для эпитаксиального роста III-N ГЭС для силовых и СВЧ транзисторов с роботизированной транспортной системой загрузки-выгрузки подложек диаметром до 200 мм.
МЭМС – структуры
БТО ТМ 200-01
Установка быстрого термического отжига слоев с базовым ТП отжига и активации примесей после ионной имплантации
Изофаз ТМ 200-01
Установка низкотемпературного плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения диэлектрических и барьерных нанослоев
Изофаз ТМ 200-02
Установка плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой
Плазма ТМ 200-01
Установка плазмохимического анизотропного селективного травления поликристаллического кремния, нитрида кремния и траншей с гладкими щелями для щелевой изоляции
Плазма ТМ 200-02
Установка плазмохимического высокоскоростного анизотропного селективного глубокого травления кремния на основе Bosch-процесса
Плазма ТМ 200-03
Установка плазмохимической очистки поверхности, снятия ФРМ и удаления полимеров
Плазма ТМ 200-04
Установка атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистка поверхности
Эпифаз ТМ 200-01
Установка ГФЭ МОС для эпитаксиального роста III-N ГЭС для силовых и СВЧ транзисторов с роботизированной транспортной системой загрузки-выгрузки подложек диаметром до 200 мм
3D TSV-интерпозеры
БТО ТМ 200-01
Установка быстрого термического отжига слоев с базовым ТП отжига и активации примесей после ионной имплантации
Изофаз ТМ 200-01
Установка низкотемпературного плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения диэлектрических и барьерных нанослоев
Изофаз ТМ 200-02
Установка плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой
Магна ТМ 200-04
Технологический модуль физического осаждения слоёв (PVD) магнетронным распылением
Плазма ТМ 200-01
Установка плазмохимического анизотропного селективного травления поликристаллического кремния, нитрида кремния и траншей с гладкими щелями для щелевой изоляции
Плазма ТМ 200-02
Установка плазмохимического высокоскоростного анизотропного селективного глубокого травления кремния на основе Bosch-процесса
Плазма ТМ 200-03
Установка плазмохимической очистки поверхности, снятия ФРМ и удаления полимеров
Плазма ТМ 200-04
Установка атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистка поверхности
Интегральная фотоника
БТО ТМ 200-01
Установка быстрого термического отжига слоев с базовым ТП отжига и активации примесей после ионной имплантации
Изофаз ТМ 200-02
Установка плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой
Магна ТМ 200-04
Технологический модуль физического осаждения слоёв (PVD) магнетронным распылением
Плазма ТМ 200-01
Установка плазмохимического анизотропного селективного травления поликристаллического кремния, нитрида кремния и траншей с гладкими щелями для щелевой изоляции
Плазма ТМ 200-03
Установка плазмохимической очистки поверхности, снятия ФРМ и удаления полимеров
Плазма ТМ 200-04
Установка атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистка поверхности
Эпифаз ТМ 200-01
Установка ГФЭ МОС для эпитаксиального роста III-N ГЭС для силовых и СВЧ транзисторов с роботизированной транспортной системой загрузки-выгрузки подложек диаметром до 200 мм
Силовая и СВЧ электроника на основе GaN
БТО ТМ 200-01
Установка быстрого термического отжига слоев с базовым ТП отжига и активации примесей после ионной имплантации
Изофаз ТМ 200-02
Установка плазмохимического осаждения слоев с ICP источником плазмы и шлюзовой загрузкой
Магна ТМ 200-04
Технологический модуль физического осаждения слоёв (PVD) магнетронным распылением
Плазма ТМ 200-01
Установка плазмохимического анизотропного селективного травления поликристаллического кремния, нитрида кремния и траншей с гладкими щелями для щелевой изоляции
Плазма ТМ 200-03
Установка плазмохимической очистки поверхности, снятия ФРМ и удаления полимеров
Плазма ТМ200-02
Установка плазмохимического высокоскоростного анизотропного селективного глубокого травления кремния на основе Bosch-процесса
Плазма ТМ200-04
Установка атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистка поверхности
Эпифаз ТМ 200-01
Установка ГФЭ МОС для эпитаксиального роста III-N ГЭС для силовых и СВЧ транзисторов с роботизированной транспортной системой загрузки-выгрузки подложек диаметром до 200 мм