Плазма ТМ 200-04

Получить PDF Связаться с нами

Возможны дополнительные опции

Установка атомно-слоевого травления для бездефектного однородного удаления нанослоев при формировании наноструктур

Подробнее

Технические характеристики

Классификация оборудования

—

Плазмохимическое травление

Диаметр пластин

—

76 мм, 100 мм, 150 мм, 200 мм, 300 мм

Возможность быть в составе кластера

—

Да

Возможность встраивания в чистую комнату

—

Да

Тип загрузки пластин

—

SMIF-контейнер, Из кассеты в кассету, Шлюзовая

Габариты ШхВхГ

—

1900х2850х2000

Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах

Обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм;
Транспортная система переноса пластин на основе манипулятора;
Различные варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер;
Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур -30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава, до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;
Безмасляная система откачки;
Возможность встраивания в чистую комнату.

Гарантийное и постгарантийное обслуживание;

Возможность модернизации и переналадки оборудования под запросы заказчика.