Глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а также сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosch-процесса.
- Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин;
- Транспортная система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора;
- Нагрев стенок реактора до 60°С;
- Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин;
- Рабочие газы: He, SF6, C4F8, O2, Ar и другие;
- Скорость анизотропного травления кремния не менее 0,5-1 мкм/мин;
- Мощность потребления не более 19 кВт;
- Безмасляная система откачки;
- Возможность встраивания в чистую комнату.
Гарантийное и постгарантийное обслуживание;
Возможность модернизации и переналадки оборудования под запросы заказчика.
<table class="lab-table"> <tbody> <tr> <td colspan="2"> Реализация базовых технологических процессов высокоскоростного травления сквозных отверстий в кремниевых пластинах в технологии создания TSV (Through Silicon Vias - сквозных отверстий в кремнии) и др. на базе Bosch-процесса; </td> </tr> <tr> <td> Рабочий стол с гелиевым охлаждением пластины </td> <td> от -20ºС </td> </tr> <tr> <td> Аспектное отношение </td> <td> 50:1 </td> </tr> <tr> <td> Стадии процесса от 1,5 сек </td> <td> Scallop меньше 100 нм </td> </tr> </tbody> </table>