ЭПИФАЗ ТМ 200-01

Технологические характеристики:

• Количество одновременно обрабатываемых подложек (Si, Al2O3, SiC): 1×200 мм, 1×150 мм, 3×100 мм, 7×76.2 мм, 13×50.8 мм
• Производство всего спектра транзисторных гетероструктур от силовых до СВЧ
• Малогабаритный горизонтальный ректор, для минимизации затрат ресурсов на проведение одного процесса. Лучшее решение для исследований, разработки новых технологий и опытных производств
• Перчаточный бокс с азотной атмосферой, вакуумируемый шлюз для загрузки образцов и оснастки
• Многозонная инжекция компонентов в зону роста для настройки высокой однородности составов слоев твердых растворов
• Контроль толщины и прогиба структуры во время роста (in-situ) для настройки высокой однородности толщин и составов слоев твердых растворов;
• Осаждение высокоомных буферных слоев GaN легированных Fe и С
• Возможность получения слоев как n-типа, так и p-типа проводимости легированием Mg (Н.З. транзисторы)
• Осаждение пассивирующего Si3N4 покрытия непосредственно в эпитаксиальном реакторе
• Наличие отечественного ПО, обеспечивающего контроль ростовых параметров, безопасности процесса и анализ состояния всех элементов установки