ЭПИФАЗ ТМ 200-01
3D
Газофазное осаждение из металлоорганических соединений для эпитаксиального роста гетероструктур на основе III-N материалов для силовых приборов и СВЧ транзисторов
Характеристики
Диаметр пластин
—
До 100мм, 150мм, 200мм
Тип загрузки пластин
—
Ручная
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
ЭПИФАЗ ТМ 200-01
Loading...
Технические характеристики:
- Количество одновременно обрабатываемых подложек (Si, Al2O3, SiC): 1×200 мм, 1×150 мм, 3×100 мм, 7×76.2 мм, 13×50.8 мм
- Контроль толщины и прогиба структуры во время роста (in-situ) для настройки высокой однородности толщин и составов слоев твердых растворов
- Осаждение высокоомных буферных слоев GaN легированных Fe и С
- Осаждение пассивирующего Si3N4 покрытия непосредственно в эпитаксиальном реакторе
- Наличие отечественного ПО, обеспечивающего контроль ростовых параметров, безопасности процесса и анализ состояния всех элементов установки
- Диапазон рабочих температур до 1150°С;
- Мощность потребления не более 80 кВт.
Гарантийное и постгарантийное обслуживание;
Возможность модернизации и переналадки оборудования под запросы заказчика.