История развития

 

8 августа 1962 года Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР № 831-358 был организован НИИ-350 с опытным заводом, впоследствии — Научно-исследовательский институт точного машиностроения (НИИТМ) как головное предприятие для создания и производства специального технологического оборудования.

С 1962 по 1965 годы начато строительство и осуществлен ввод здания предприятия в эксплуатацию. Формируется кадровый состав организации.

За первое десятилетие работы специалистами предприятия были разработаны вакуумные установки для производства интегральных микросхем на пластинах диаметром 40, 60 и 70 мм: УВН - 1; УВН - 2; УВН - 70А - 1, ЭЛУМ - 1; Корунд - С и другие.

В 1970 году начата разработка и производство оборудования для производства ИС на пластинах диаметром 76 мм.

 

В 1974 году директору НИИТМ В.В. Савину вручена Ленинская премия за вклад в организацию Научного центра микроэлектроники, формирование и развитие науки и промышленности Зеленограда.

К 1975 году разработаны все необходимые виды оборудования для производства интегральных схем на пластинах диаметром 76 мм, в том числе с электронно-лучевыми и ионными системами.

С 1975 по 1977 годы активно разрабатывается оборудование для обработки пластин диаметром 100 мм: высокопроизводительные вакуумно-напылительные установки полу‑ и непрерывного действия, комплекты плазмохимического оборудования. Также создаются автоматизированные поточные линии для выполнения физико‑термических операций.

 

В 1981 году НИИТМ награждается Орденом Трудового Красного Знамени.

Полным ходом идет разработка и освоение оборудования, основанного на использовании новых физических принципов (электронно-ионные пучки, рентгеновское и лазерное излучение, плазмохимическая обработка).

В 1980-е годы на предприятии разрабатывается комплект технологического оборудования для обработки пластин диаметром 150 мм; осваиваются безмасляные средства откачки.

В 1984 году за разработку и создание гибкого автоматизированного производства Государственная премия СССР присуждена 7 сотрудникам НИИТМ.

В 1985 году создается совместное советско-болгарское предприятие «ЭМКО», основной задачей которого являлась разработка на кооперационной основе ряда плазмохимического оборудования для микроэлектронных производств стран СЭВ.

Разработаны новые модели установки непрерывного действия для металлизации: ОРАТОРИЯ 29, МАГНА 2.

 

В период перехода к новым рыночным условиям сокращается количество направлений разработки и создания специального технологического оборудования.

Деятельность компании осуществлялась по четырем направлениям:

• предприятие приступает к разработке нового поколения кластерного оборудования с интеграцией технологических модулей в одной установке для проведения микроциклов;
• ведутся работы по разработке и изготовлению оборудования для обработки пластин диаметром 200 мм;
• осуществляется поставка оборудования на экспорт: в частности, в КНР отправлено около 30 технологических установок;
• идет развитие телекоммуникационного аппаратостроения, разработка энергосберегающих технологий, автоматических систем, приборов учета и контроля.

 

С начала 2000-х предприятие создает новые типы вакуумного оборудования полунепрерывного и непрерывного действия, а также кластерные системы для индивидуальной обработки пластин диаметром 150 и 200 мм.

Одним из ключевых направлений деятельности в этот период становится разработка, изготовление и поставка комплекта малогабаритных вакуумно-плазменных установок для обработки пластин диаметром 100-150 мм для технических вузов, региональных и ведомственных научных центров в качестве исследовательского оборудования и оборудования для внедрения нанотехнологий, а также для мелкосерийного производства.

Разработан и изготовлен комплект технологического оборудования для получения функциональных наноуглеродных структур.

Предприятием ведутся работы по разработке и изготовлению комплекта установок доочистки сверхчистых хлоридных газов, а также установки для доочистки сверхчистых гидридных газов методом низкотемпературной ректификации.

 

Ключевым направлением деятельности института становится разработка серий оборудования для обработки пластин диаметром 200 мм.

В рамках реализации Государственной программы РФ «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013 – 2025 годы» по договору с Минпромторгом АО НИИТМ приступил к разработке и организации производства промышленно‑ориентированного комплекта специального технологического оборудования атомарно‑слоевого осаждения, плазмохимического травления и очистки, включая разработку на их основе базовых технологических процессов для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм с уровнем технологии 180 – 65 нм. Проект позволяет сформировать научно‑технический задел и потенциал для выполнения последующих ОКР.

Завершены работы над выполнением прикладных научных исследований по соглашению с Министерством науки и высшего образования РФ по теме «Исследование ионно‑стимулированного процесса нанесения многокомпонентных функциональных наноструктур в гибридной системе с магнитоактивированными плазменными источниками.

 

В рамках реализации государственной программы в НИИТМ с 2019 года стартуют следующие работы:

• Разработка установки МОС-гидридной эпитаксии GaN на подложках до 200 мм для производства силовых и СВЧ-транзисторов.
• Разработка и производство СТО быстрого термического отжига, плазмохимического и физического осаждения, атомно-слоевого травления для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм.

В 2021 году в рамках ГП РФ «Развитие электронного машиностроения» совместно с АО «НИИМЭ» НИИТМ начинает разработку кластерных систем для плазмохимического травления и плазмохимического осаждения для пластин диаметром 300 мм с возможностью переналадки на 200 мм.

Разработан кластерный комплекс магнетронного напыления для АО «ЗНТЦ».

В 2022 году завершаются работы по Комплексному проекту, создан кластерный комплекс с 4 модулями. В настоящее время на установке Кластер ТМ 200-01 специалистами АО «НИИМЭ» ведутся научно-исследовательские работы в рамках разработки технологий с использованием энергонезависимой памяти.

Совместно с ИЯФ СО РАН и АО «НИИМЭ» компания приступила к созданию серии установок для ионной имплантации с проектной нормой 90 нм.

 

Стартовали перспективные проекты по разработке, сборке и испытанию экспериментальных и опытных образцов оборудования плазмохимической обработки кремниевых пластин: одна установка – для проведения процессов химического осаждения вольфрама из газовой фазы, вторая – для проведения процессов химического осаждения SiO2/SiON/SiONGe из газовой фазы.

Завершается проект по поставке АО «Микрон» двух кластерных комплексов плазмохимического травления, состоящих из 4 технологических модулей и общей транспортной системы. Первая кластерная установка предназначается для проведения процессов плазмохимического травления слоев металлизации, вторая – для травления поликремния.

Генеральный директор АО НИИТМ получил награду «Заслуженный работник электронной отрасли».

 

Стартовал ОКР по разработке установки групповой высокотемпературной обработки (отжига) полупроводниковых пластин диаметром до 150 мм.

Продолжаются работы по созданию оборудования для ионной имплантации: проект включает в себя разработку и изготовление среднетоковой и высокоэнергетической установок.

Завершены и достигнуты целевые показатели по двум проектам в рамках реализации ГП «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности»:

• Разработка установки МОС-гидридной эпитаксии GaN на подложках до 200 мм для производства силовых и СВЧ-транзисторов;
• Разработка и организация производства СТО быстрого термического отжига, плазмохимического и физического осаждения, атомно-слоевого травления.