Атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок.
Технические характеристики:
- Обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм;
- Транспортная система переноса пластин на основе манипулятора;
- Различные варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер;
- Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин;
- Осаждение в термическом режиме с удаленным ICP источником плазмы;
- Порты для подключения ампул с прекурсором:
- с высоким давлением насыщенных паров - 2шт.;
- с низким давлением насыщенных паров - 2шт.(опционально до 4 шт.);
- Мощность потребления не более 14 кВт;
- Безмасляная система откачки;
- Возможность встраивания в чистую комнату.
Гарантийное и постгарантийное обслуживание;
Возможность модернизации и переналадки оборудования под запросы заказчика.
<table class="lab-table"> <tbody> <tr> <td> Конформное заполнение канавок и рельефной поверхности с аспектным соотношением </td> <td> не менее 2,5:1 </td> </tr> <tr> <td> Напряжение в диэлектрических пленках толщиной до 2 мкм </td> <td> не более 100 МПа </td> </tr> <tr> <td> Низкая температура осаждения </td> <td> от +50 до +150 °С </td> </tr> <tr> <td colspan="2"> Свойства пленок SiO2 сопоставимы с пленками полученными термическим окислением; </td> </tr> <tr> <td colspan="2"> Низкое содержание атомов водорода в отличие от пленок полученных методом PECVD; </td> </tr> </tbody> </table>