Разработан при поддержке
Минпромторга России
Диаметр пластин
76 мм, 100 мм, 150 мм, 200 мм, 300 мм
Тип загрузки пластин
SMIF-контейнер, Из кассеты в кассету, Шлюзовая
Атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок.
Разработан при поддержке
Минпромторга России
Диаметр пластин
76 мм, 100 мм, 150 мм, 200 мм, 300 мм
Тип загрузки пластин
SMIF-контейнер, Из кассеты в кассету, Шлюзовая
Габариты ШхВхГ
1900х2850х2000
Плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии).
Автоматизированная очистка кислот HCl, H₂SO₄ и HNO₃ методом дистилляции без кипения (субперегонкой) в кварцевом аппарате, и очистки указанных кислот от тяжелых примесей (K, Na, Ca, Mg, Al)
Диаметр пластин
До 100 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Возможна поставка компактной версии установки Эпиквар ТМ Мини для мелкосерийного производства и проведения научных исследований
Да
Газофазное осаждение моно- и поликристаллических слоев кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом.
Диаметр пластин
До 100 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Автоматизированная термическая обработка пластин и материалов (отжиг, сушка, разгонка диффузанта, восстановление кристаллических структур и др.) при нормальном давлении в восстановительной или нейтральной среде.
Разработан при поддержке
Минпромторга России
Диаметр пластин
76 мм, 100 мм, 150 мм, 200 мм, 300 мм
Тип загрузки пластин
SMIF-контейнер, Из кассеты в кассету, Шлюзовая
Установка плазмохимического осаждения диэлектрических слоев
Разработан при поддержке
Минпромторга России
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм, 200 мм
Установка плазмохимического травления с источником индуктивно-связанной плазмы на базе Bosch-процесса
Разработан при поддержке
Минпромторга России
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм, 200 мм
Тип загрузки пластин
SMIF-контейнер, Из кассеты в кассету, Шлюзовая
Нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.
Автоматизированная очистка кислот HCl, H₂SO₄ и HNO₃ методом дистилляции без кипения (субперегонкой) в кварцевом аппарате, и очистки указанных кислот от тяжелых примесей (K, Na, Ca, Mg, Al)
Диаметр пластин
До 100 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Осаждение сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира.