ЭПИСЕНД ТМ
Осаждение сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира.
Технические характеристики
Классификация оборудования
—
Выращивание эпитаксиальных структур
Диаметр пластин
—
До 100мм
Тип загрузки пластин
—
Ручная
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
ЭПИСЕНД ТМ
Технические характеристики:
- Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-радиационным нагревом пластин;
- Ручная загрузка/выгрузка пластин;
- Графитовый держатель под 3 пластины Ø100 мм;
- Нагрев до 1200°С;
- Микропроцессорная система управления;
- Преобразователь частоты для питания индуктора мощностью до 60 кВт и рабочей частотой 22 кГц;
- Жидкостной скруббер для нейтрализации отработанных продуктов;
- Рабочие газы: H₂, N₂, HСl;
- Мощность потребления не более 60 кВт.
Гарантийное и постгарантийное обслуживание;
Возможность модернизации и переналадки оборудования под запросы заказчика.