Получение высокочистых гидридных материалов с чистотой 99,99994 методом периодической высокотемпературной ректификации.
Получение эпитаксиальных ферро-гранатовых, цилиндрических магнитных доменных (ЦМД) и других структур из жидкой фазы.
Отжиг ионно-легированных слоев; формирование омических контактов; получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических пленок; рекристаллизация аморфных и поликристаллических пленок и др.
Плазмохимическое травление поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии).
Установка реактивного магнетронного осаждения оксида ванадия на кремниевые пластины, покрытые нитридом кремния на пластинах диаметром 100 мм, 150 мм, 200 мм.
Автоматизированная очистка кислот HCl, H₂SO₄ и HNO₃ методом дистилляции без кипения (субперегонкой) в кварцевом аппарате, и очистки указанных кислот от тяжелых примесей (K, Na, Ca, Mg, Al)
Газофазное осаждение моно- и поликристаллических слоев кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом.
Автоматизированная термическая обработка пластин и материалов (отжиг, сушка, разгонка диффузанта, восстановление кристаллических структур и др.) при нормальном давлении в восстановительной или нейтральной среде.
Осаждение диэлектрических слоев с ICP источником плазмы для формирования щелевой и межслойной изоляции, в том числе на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений