Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Шлюзовая
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на пластины методом магнетронного распыления.
Диаметр пластин
До 100 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Автоматизированная термическая обработка пластин и материалов в газовой среде (оксидирование, отжиг, сушка, разгонка
диффузанта, восстановление кристаллических структур) при нормальном давлении.
диффузанта, восстановление кристаллических структур) при нормальном давлении.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Из кассеты в кассету
Травление диэлектрических слоев и полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Шлюзовая
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на пластины методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Из кассеты в кассету
Реактивно-ионное травление алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме, а также тонких металлических слоев, диэлектрических слоев, материалов группы А3B5.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки методом магнетронного распыления.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление кварца, пирекса, алмазных пленок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоев.
Тип загрузки пластин
Ручная
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических тонких пленок на рулонный материал методом магнетронного распыления.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление диэлектрических и металлических слоев.
Диаметр пластин
До 100 мм, 150 мм
Тип загрузки пластин
Ручная
Многослойное нанесение пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления