ГК «Элемент» проведет круглый стол, посвященный ключевым вопросам развития микроэлектронной отрасли, и представит на выставке новейшие разработки, способные изменить будущее индустрии.
Особое внимание уделят двум установкам плазмохимического осаждения, созданным на базе АО НИИТМ, которые предназначены для производства тонких пленок вольфрама и диэлектрических слоев SiO2/SiON/SiONGe. Эти инновации не только укрепят позиции России в области микроэлектроники, но и помогут обеспечить технологический суверенитет страны.
Создание в РФ специального технологического оборудования является стратегически важной задачей, выполнение которой позволит обеспечить технологический суверенитет страны.
В этой связи в АО НИИТМ (ГК «Элемент») началась разработка двух перспективных установок плазмохимической обработки кремниевых пластин диаметром до 200 мм: одна для осаждения пленок вольфрама, вторая – для пленок SiO2/SiON/SiONGe.
Современное производство микросхем («чипов») основано на множестве сложных технологических процессов. Одним из таких является химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ, англ. Chemical vapor deposition, CVD). Этот способ позволяет получить тонкие пленки материалов с высокой степенью чистоты. Цикл производства микросхем включает десятки таких операций для формирования функциональных слоев. Разработка и производство ХОГФ(CVD)-установок и установок плазменной обработки пластин является одним из базовых направлений деятельности зеленоградского АО НИИТМ.
Проект «Изофаз-В», выполняемый в кооперации с АО «НИИМЭ» (ГК «Элемент»), включает в себя разработку экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения вольфрама из газовой фазы. Данный процесс необходим для создания микросхем с топологическими нормами 180 нм и менее. Тонкие пленки вольфрама применяются для контактов и межсоединений при создании слоев металлизации микросхем.
Проект «Изофаз-Д» также предполагает разработку, сборку и испытание экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения SiO2/SiON/SiONGe из газовой фазы. Перечисленные диэлектрические слои выполняют роль электрической изоляции микросхем.
Потенциальными потребителями данного оборудования являются предприятия – производители ЭКБ. Оба проекта выполняются по заказу и при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации.
Дополнительно
Дополнительная вкладка, для размещения информации о новостях, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.