История развития

 

8 августа 1962 года Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР № 831-358 был организован НИИ-350 с опытным заводом, впоследствии — Научно-исследовательский институт точного машиностроения (НИИТМ) как головное предприятие для создания и производства специального технологического оборудования.

С 1962 по 1965 годы начато строительство и осуществлен ввод здания предприятия в эксплуатацию. Формируется кадровый состав организации.

За первое десятилетие работы специалистами предприятия были разработаны вакуумные установки для производства интегральных микросхем на пластинах диаметром 40, 60 и 70 мм: УВН - 1; УВН - 2; УВН - 70А - 1, ЭЛУМ - 1; Корунд - С и другие.

В 1970 году начата разработка и производство оборудования для производства ИС на пластинах диаметром 76 мм.

 

В этот период активно разрабатывается и создается широкий спектр оборудования для массового производства ИС.

В 1974 году директору НИИТМ В. В. Савину вручена Ленинская премия за вклад в организацию Научного центра микроэлектроники, формирование и развитие науки и промышленности Зеленограда.

К 1975 году разработаны все необходимые виды оборудования для производства интегральных схем на пластинах диаметром 76 мм, в том числе с электронно‑лучевыми и ионными системами.

С 1975 по 1977 годы активно разрабатывается оборудование для обработки пластин диаметром 100 мм: высокопроизводительные вакуумно‑напылительные установки полу‑ и непрерывного действия, комплекты плазмохимического оборудования. Также создаются автоматизированные поточные линии для выполнения физико‑термических операций.

 

В 1981 году НИИТМ награждается Орденом Трудового Красного Знамени.

Полным ходом идет разработка и освоение оборудования, основанного на использовании новых физических принципов (электронно-ионные пучки, рентгеновское и лазерное излучение, плазмохимическая обработка).

В 1980-е годы на предприятии разрабатывается комплект технологического оборудования для обработки пластин диаметром 150 мм; осваиваются безмасляные средства откачки.

В 1984 году за разработку и создание гибкого автоматизированного производства Государственная премия СССР присуждена 7 сотрудникам НИИТМ.

В 1985 году создается совместное советско-болгарское предприятие «ЭМКО», основной задачей которого являлась разработка на кооперационной основе ряда плазмохимического оборудования для микроэлектронных производств стран СЭВ.

Разработаны новые модели установки непрерывного действия для металлизации: ОРАТОРИЯ 29, МАГНА 2.

 

В период перехода к новым рыночным условиям сокращается количество направлений разработки и создания специального технологического оборудования.

Деятельность компании осуществлялась по четырем направлениям:

• предприятие приступает к разработке нового поколения кластерного оборудования с интеграцией технологических модулей в одной установке для проведения микроциклов;
• ведутся работы по разработке и изготовлению оборудования для обработки пластин диаметром 200 мм;
• осуществляется поставка оборудования на экспорт: в частности, в КНР отправлено около 30 технологических установок;
• идет развитие телекоммуникационного аппаратостроения, разработка энергосберегающих технологий, автоматических систем, приборов учета и контроля.

 

С начала 2000-х предприятие создает новые типы вакуумного оборудования полунепрерывного и непрерывного действия, а также кластерные системы для индивидуальной обработки пластин диаметром 150 и 200 мм.

Одним из ключевых направлений деятельности в этот период становится разработка, изготовление и поставка комплекта малогабаритных вакуумно-плазменных установок для обработки пластин диаметром 100-150 мм для технических вузов, региональных и ведомственных научных центров в качестве исследовательского оборудования и оборудования для внедрения нанотехнологий, а также для мелкосерийного производства.

Разработан и изготовлен комплект технологического оборудования для получения функциональных наноуглеродных структур.

Предприятием ведутся работы по разработке и изготовлению комплекта установок доочистки сверхчистых хлоридных газов, а также установки для доочистки сверхчистых гидридных газов методом низкотемпературной ректификации.

 

В рамках реализации Государственной программы РФ «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013–2025 годы» по договору с Минпромторгом АО НИИТМ приступил к разработке и организации производства промышленно‑ориентированного комплекта специального технологического оборудования атомарно‑слоевого осаждения, плазмохимического травления и очистки, включая разработку на их основе базовых технологических процессов для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм с уровнем технологии 180–65 нм. Проект позволяет сформировать научно-технический задел и потенциал для выполнения последующих ОКР.

Завершены работы над выполнением прикладных научных исследований по соглашению с Министерством науки и высшего образования РФ по теме «Исследование ионно‑стимулированного процесса нанесения многокомпонентных функциональных наноструктур в гибридной системе с магнитоактивированными плазменными источниками».

 

В рамках реализации государственной программы в НИИТМ с 2019 года стартуют следующие работы:

• Разработка установки МОС-гидридной эпитаксии GaN на подложках до 200 мм для производства силовых и СВЧ-транзисторов.
• Разработка и производство СТО быстрого термического отжига, плазмохимического и физического осаждения, атомно-слоевого травления для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм.

В 2021 году в рамках ГП РФ «Развитие электронного машиностроения» совместно с АО «НИИМЭ» НИИТМ начинает разработку кластерных систем для плазмохимического травления и плазмохимического осаждения для пластин диаметром 300 мм с возможностью переналадки на 200 мм.

Разработан кластерный комплекс магнетронного напыления для АО «ЗНТЦ».

 

В 2022 году завершаются работы по разработке и организации производства специального технологического оборудования атомарно-слоевого осаждения, плазмохимического травления и очистки. Создана кластерная установка с 4 модулями. В настоящее время на установке Кластер ТМ 200-01 специалистами АО «НИИМЭ» ведутся научно‑исследовательские работы в рамках разработки технологий с использованием энергонезависимой памяти.

Совместно с ИЯФ СО РАН и АО «НИИМЭ» компания приступает к созданию серии установок для ионной имплантации с проектной нормой 90 нм для реализации технологии производства магнитоэлектрических приборов.

 

Стартовали перспективные проекты по разработке, сборке и испытанию экспериментальных и опытных образцов оборудования плазмохимической обработки кремниевых пластин: одна установка – для проведения процессов химического осаждения вольфрама из газовой фазы, вторая – для проведения процессов химического осаждения SiO2/SiON/SiONGe из газовой фазы.

Завершается проект по поставке АО «Микрон» двух кластерных комплексов плазмохимического травления, состоящих из 4 технологических модулей и общей транспортной системы. Первая кластерная установка предназначается для проведения процессов плазмохимического травления слоев металлизации, вторая – для травления поликремния.

Генеральный директор АО НИИТМ получет награду «Заслуженный работник электронной отрасли».

 

АО НИИТМ приступает к ОКР по разработке установки групповой высокотемпературной обработки (отжига) полупроводниковых пластин диаметром до 150 мм.
Продолжаются работы по созданию оборудования для ионной имплантации: проект включает в себя разработку и изготовление среднетоковой и высокоэнергетической установок.
Завершены и достигнуты целевые показатели по проектам в рамках реализации ГП «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности»:

• разработка установки МОС‑гидридной эпитаксии GaN на подложках до 200 мм для производства силовых и СВЧ‑транзисторов;
• разработка и организация производства СТО быстрого термического отжига, плазмохимического и физического осаждения, атомно‑слоевого травления.