Создание тонких металлических пленок методом магнетронного распыления в вакууме на полупроводниковые пластины диаметром 150 мм. Установка обеспечивает создание конформных металлических пленок в окнах с большим аспектным отношением.
Газофазное осаждение из металлоорганических соединений для эпитаксиального роста гетероструктур на основе III-N материалов для силовых приборов и СВЧ транзисторов
Низкотемпературное осаждение диэлектрических слоев оксида или нитрида кремния из газовой фазы на пластинах диаметром до 300 мм.
Плазмохимическое травление диэлектрических (SiO₂, Si₃N₄ и другие), металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и
полимерных слоев на пластинах диаметром до 300 мм.
полимерных слоев на пластинах диаметром до 300 мм.
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки и пластины методом магнетронного распыления.
Установка предназначена для автоматизированной термической обработки полупроводниковых пластин, керамических подложек и материалов в контролируемой среде рабочего газа (восстановительной, нейтральной) при пониженном давлении.
Установка нанесения металлов и их сплавов методом магнетронного распыления на поверхность диэлектрических и полупроводниковых пластин диаметром 100 мм, 150 мм и 200 мм.
