Глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а также сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosch-процесса.
Нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.
Автоматизированная очистка кислот HCl, H₂SO₄ и HNO₃ методом дистилляции без кипения (субперегонкой) в кварцевом аппарате, и очистки указанных кислот от тяжелых примесей (K, Na, Ca, Mg, Al)
Осаждение сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира.
Автоматизированная термическая обработка пластин и материалов (отжиг, сушка, разгонка диффузанта, восстановление кристаллических структур и др.) при нормальном давлении в окислительной или нейтральной среде.
Высокоселективные процессы плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров.
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки и пластины методом магнетронного распыления в вертикальной плоскости.
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на пластины методом магнетронного распыления.
Автоматизированная термическая обработка пластин и материалов в газовой среде (отжиг, сушка, разгонка диффузанта, восстановление кристаллических структур) при нормальном давлении.
