ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Научно-исследовательский институт точного машиностроения
(НИИТМ) – старейшая отечественная школа разработки
и производства специального технологического оборудования,
центр передачи знаний между поколениями учёных
и специалистов.
Ключевым вектором нашей работы является производство серии
оборудования для обработки пластин диаметром 200 мм,
совместимой с диаметрами 100 и 150 мм.
НИИТМ – единственный в России разработчик кластерных
комплексов и установок для обработки пластин диаметром 300 мм.
О КОМПАНИИ
1
1962
ГОД
ОСНОВАНИЯ
>3000
ЕДИНИЦ
ОБОРУДОВАНИЯ
3200
КВАДРАТНЫХ МЕТРОВ
ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ
ПЛОЩАДЕЙ
>55
ПРЕДПРИЯТИЙ -
ЗАКАЗЧИКОВ
«Создание отечественного
инновационного оборудования
для технологий и прозводства ЭКБ»
Наша миссия:
2
КЛАСТЕРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
Серия установок Кластер ТМ содержит модуль
загрузки/выгрузки, роботизированную транспортную
систему и процессные модули. Типы модулей и их
конфигурация определяются на основе технического
задания исходя из запрашиваемого технологического
процесса: PVD, ПХО/ПХТ.
серия установок
КЛАСТЕР ТМ
3
Система загрузки пластин SMIF или FOUP
Обработка пластин
Ø 150, 200, 300 мм
Безмасляная система откачки
Кластер ТМ
150(PVD)
Кластер ТМ
200(ПХТ Al)
Кластер ТМ
200(ПХТ
Poly Si)
Кластер ТМ
300(ПХТ)
Кластер ТМ
300(ПХО)
3 11 12
До 13
в каждом
модуле
100 ... 350 30 ... 90 30 ... 90 300 200 ... 450
444 4 4
60 85 85 90 90
Количество газовых
линий
Диапазон рабочих
температур, ºС
Количество модулей,
шт.
Рабочее давление:
модули(м), удаление
фоторезиста(ф), Па
Мощность потребления,
кВт
(М) 0,4÷1,6 (М) 1÷10
(Ф) 200÷400 (М) 1÷10
(М) 0,5÷10
(М) 1÷30
(Ф) 100÷600
(М) 133÷1333
До 8
в каждом
модуле
- - +
- -
Система автоподачи
реагента
тетраэтилортосиликат
4
серия установок
ПЛАЗМА ТМ 200
ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ
В ВЧ ПЛАЗМЕ РАЗРЯДА
Серия установок плазмохимического травления
поликристаллического кремния и нитрида кремния,
глубокого плазмохимического анизотропного травления
кремния, высокоселективных процессов
плазмохимического удаления фоторезистивной маски и
травления органических полимеров, а также атомно-
слоевого травления.
5
6
Плазма ТМ
200-01
Плазма ТМ
200-02 Плазма ТМ
200-03
Плазма ТМ
200-04
(ALE)
Плазма ТМ
200-04
Sf , C F , He,
6 4 8
Ar, O2
Cf , N /H ,
4 2 2
N , O
2 2
Sf , CF , He,
6 4
Cl , N , O ,
2 2 2
HBr
Sf , CF , Cl ,
6 4 2
O , HBr
2
Sf , C F , He,
6 4 8
Ar, O2
От 4 5 4 От 4
70
От 7
70 70 70 70
1 1 3 2 1
До 5
мкм/мин
≥ 3
мкм/мин 100 нм/мин
22 12 17 20 14
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Нагрев стенки реактора
до, ºС
Мощность генератора
HDP, кВт
Скорость травления
Мощность потребления,
кВт
Индивидуальная обработка пластин
Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Шлюзовая или кассетная системы загрузки пластин
0,5
мкм/мин
0,5
мкм/мин
ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ
В ВЧ ПЛАЗМЕ РАЗРЯДА
Серия установок плазмохимического травления
диэлектрических слоев и полупроводниковых
материалов методом реактивно-ионного травления,
алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме,
а также тонких металлических слоев и материалов
группы А3B5.
серия установок
ПЛАЗМА ТМ
7