ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Научно-исследовательский институт точного машиностроения
(НИИТМ) – старейшая отечественная школа разработки
и производства специального технологического оборудования,
центр передачи знаний между поколениями учёных
и специалистов.
Ключевым вектором нашей работы является производство серии
оборудования для обработки пластин диаметром 200 мм,
совместимой с диаметрами 100 и 150 мм.
НИИТМ – единственный в России разработчик кластерных
комплексов и установок для обработки пластин диаметром 300 мм.
О КОМПАНИИ
1
1962
ГОД
ОСНОВАНИЯ
>3000
ЕДИНИЦ
ОБОРУДОВАНИЯ
3200
КВАДРАТНЫХ МЕТРОВ
ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ
ПЛОЩАДЕЙ
>55
ПРЕДПРИЯТИЙ -
ЗАКАЗЧИКОВ
«Создание отечественного
инновационного оборудования
для технологий и прозводства ЭКБ»
Наша миссия:
2
КЛАСТЕРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
Серия установок Кластер ТМ содержит модуль
загрузки/выгрузки, роботизированную транспортную
систему и процессные модули. Типы модулей и их
конфигурация определяются на основе технического
задания исходя из запрашиваемого технологического
процесса: PVD, ПХО/ПХТ.
серия установок
КЛАСТЕР ТМ
3
Система загрузки пластин SMIF или FOUP
Обработка пластин
Ø 150, 200, 300 мм
Безмасляная система откачки
Кластер ТМ
150(PVD)
Кластер ТМ
200(ПХТ Al)
Кластер ТМ
200(ПХТ
Poly Si)
Кластер ТМ
300(ПХТ)
Кластер ТМ
300(ПХО)
3 11 12
До 13
в каждом
модуле
100 ... 350 30 ... 90 30 ... 90 300 200 ... 450
444 4 4
60 85 85 90 90
Количество газовых
линий
Диапазон рабочих
температур, ºС
Количество модулей,
шт.
Рабочее давление:
модули(м), удаление
фоторезиста(ф), Па
Мощность потребления,
кВт
(М) 0,4÷1,6 (М) 1÷10
(Ф) 200÷400 (М) 1÷10
(М) 0,5÷10
(М) 1÷30
(Ф) 100÷600
(М) 133÷1333
До 8
в каждом
модуле
- - +
- -
Система автоподачи
реагента
тетраэтилортосиликат
4
серия установок
ПЛАЗМА ТМ 200
ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ
В ВЧ ПЛАЗМЕ РАЗРЯДА
Серия установок плазмохимического травления
поликристаллического кремния и нитрида кремния,
глубокого плазмохимического анизотропного травления
кремния, высокоселективных процессов
плазмохимического удаления фоторезистивной маски и
травления органических полимеров, а также атомно-
слоевого травления.
5
6
Плазма ТМ
200-01
Плазма ТМ
200-02 Плазма ТМ
200-03
Плазма ТМ
200-04
(ALE)
Плазма ТМ
200-04
Sf , C F , He,
6 4 8
Ar, O2
Cf , N /H ,
4 2 2
N , O
2 2
Sf , CF , He,
6 4
Cl , N , O ,
2 2 2
HBr
Sf , CF , Cl ,
6 4 2
O , HBr
2
Sf , C F , He,
6 4 8
Ar, O2
От 4 5 4 От 4
70
От 7
70 70 70 70
1 1 3 2 1
До 5
мкм/мин
≥ 3
мкм/мин 100 нм/мин
22 12 17 20 14
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Нагрев стенки реактора
до, ºС
Мощность генератора
HDP, кВт
Скорость травления
Мощность потребления,
кВт
Индивидуальная обработка пластин
Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Шлюзовая или кассетная системы загрузки пластин
0,5
мкм/мин
0,5
мкм/мин
ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ
В ВЧ ПЛАЗМЕ РАЗРЯДА
Серия установок плазмохимического травления
диэлектрических слоев и полупроводниковых
материалов методом реактивно-ионного травления,
алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме,
а также тонких металлических слоев и материалов
группы А3B5.
серия установок
ПЛАЗМА ТМ
7
8
МВУ ТМ
Плазма 03
Плазма ТМ
04Плазма ТМ
07
Плазма ТМ
08
434 От 4
- - 70 70
1 ( ) RIE1 2 1
50
нм/мин
36 11,5 11,5
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Нагрев стенки реактора
до, ºС
Мощность генератора
HDP, кВт
Скорость травления
Мощность потребления,
кВт
Обработка пластин Ø 76, 100, 150мм
Безмасляная система откачки
Шлюзовая или ручная системы загрузки пластин
N /H ,
2 2
N , O
2 2
CF , CHF ,
4 3
N , O
2 2
CF , SF ,
4 6
Ar, O2
Cl , BCl , CF ,
2 3 4
CCl , O , N ,
4 2 2
CHF
3
300
нм/мин
50
нм/мин
50
нм/мин
ФИЗИЧЕСКОЕ НАНЕСЕНИЕ
ТОНКИХ ПЛЕНОК
Серия установок для нанесения многокомпонентных и
многослойных металлических или диэлектрических
тонких пленок на подложки и пластины методом
магнетронного распыления.
серия установок
МАГНА ТМ 200
9
10
21
31
DC,
цилиндр
+ + - -
до 5 до 1 до 3 до 3
Шлюзовая или кассетная системы загрузки пластин
DC,
цилиндр
DC, 1 с
вращением
DC, 1 с
вращением
Индивидуальная обработка пластин
Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
до 400 -90 ... 400 до 400 до 400
100 100 300 300
Магна ТМ
200-01
Магна ТМ
200-02 Магна ТМ
200-03
Магна ТМ
200-04
Количество
магнетронов
Тип
магнетрона
Многослойное
нанесение пленок
в одном цикле
Толщина наносимых
пленок, мкм
Диапазон рабочих
температур, ºС
Диаметр
мишеней
ФИЗИЧЕСКОЕ НАНЕСЕНИЕ
ТОНКИХ ПЛЕНОК
Серия малогабаритных установок для нанесения
многокомпонентных и многослойных металлических или
диэлектрических тонких пленок на подложки и пластины
методом магнетронного распыления.
серия установок
МВУ ТМ МАГНА
11
12
МВУ ТМ
Магна 07
33
34
DC
+ + + +
до 10 до 10до 10до 10
Количество
магнетронов
Тип
магнетрона
Многослойное
нанесение пленок
в одном цикле
Толщина наносимых
пленок, мкм
Шлюзовая или ручная системы загрузки пластин
DC, RF DC DC
Обработка пластин
60х48 мм, Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
2
Двусторонняя или
односторонняя
обработка 21 2
50
Диаметр
мишеней 50 100 100
МВУ ТМ
Магна 08
МВУ ТМ
Магна 09
МВУ ТМ
Магна 10
ФИЗИЧЕСКОЕ НАНЕСЕНИЕ
ТОНКИХ ПЛЕНОК
Оборудование для нанесения многокомпонентных и
многослойных металлических или диэлектрических
тонких пленок на подложки и пластины методом
магнетронного распыления или электронно-лучевого
испарения.
серия установок
МАГНА ТМ
ЭЛУ ТМ
13
14
Магна ТМ
29
6 М 1 И
3 М 2 И
DC
+ + + +
5312
Количество
магнетронов(м)/
испарителей(и)
Тип устройства
нанесения
Многослойное
нанесение пленок
в одном цикле
Толщина наносимых
пленок, мкм
Ручная загрузка пластин
DC ЭЛИ ЭЛИ
Обработка пластин
60х48 мм, Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Односторонняя
обработка
50
Диаметр
мишеней 50 100 100
Магна ТМ
05
ЭЛУ ТМ
Ш
ЭЛУ ТМ
03
+ + + +
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ
ОСАЖДЕНИЕ
Серия установок осаждения диэлектрических слоев с
ICP источником плазмы для формирования щелевой и
межслойной изоляции, в том числе на стенках
контактных и переходных отверстий межслойных
соединений, а также атомно-слоевого осаждения.
серия установок
ИЗОФАЗ ТМ
15
16
4
Количество
газовых линий
Скорость
осаждения
Однородность
по толщине на пластине
Ø 200 мм, %
Шлюзовая или кассетная системы загрузки пластин
До 400 До 300
Обработка пластин
60х48 мм, Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Односторонняя
обработка
Мощность
потребления, кВт 20 17
Изофаз ТМ
200 - 01
Изофаз ТМ
200 - 02
++
Температура
подложкодержателя, ºС
1 Å за цикл До 100
нм/мин
2,5% 3,5%
4
ВЫРАЩИВАНИЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Серия установок для газофазного осаждения из
металлоорганических соединений для эпитаксиального
роста гетероструктур, газофазного осаждения моно- и
поликристаллических слоев кремния, осаждения
сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из
твердого источника, а также ферро-гранатовых и других
структур из жидкой фазы.
серия установок
ЭПИ ТМ
17
18
Ручная загрузка пластин
Обработка пластин
Ø 50, 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Эпифаз ТМ
200-01
Г
1/200, 1/150
3/100, 7/76,2
13/50,8
Тип реактора
горизонтальный (г)
или цилиндрический (ц)
Количество
одновременно
обрабатываемых
пластин, шт/мм
1/100, 1/76,2 24/100 3/100
100
Мощность
потребления, кВт 17 160 60
Эпигран
ТМ
Эпиквар
ТМ
Эписенд
ТМ
Г Ц Ц
Рабочие газы N /H
2 2,
N , O
2 2
SiCl₄, H₂,
N₂, HС
Nh , SiH
3 4,
C H , N , H
3 8 2 2 H₂, N₂, HСl
до 1150
Диапазон рабочих
температур, ºС300 - 1250 300 - 1250до 1200
Вид эпитаксиальной
обработки
Газо-
фазная
Газо-
фазная
Жидко-
фазная
Твердо-
фазная
БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ
Установка быстрого термического отжига для обработки
полупроводниковых пластин в инертной среде с целью
отжига дефектов и активации примесей после ионного
легирования.
БТО ТМ 200-01
19
20
3
1200
100
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Многозонный ИК
нагрев, ºС
Обработка пластин Ø 150, 200мм
Безмасляная система откачки
Шлюзовая система загрузки пластин
N , O
2 2 35
Максимальная скорость
нагрева, ºС/с
Скорость охлаждения
от +1200 до +700 ºС,
ºС/с
35
Скорость охлаждения
от +700 до +200 ºС,
ºС/мин
55
Мощность потребления,
кВт
16...25
Охлаждение рабочей
камеры до, ºС
ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ
Группа горизонтальных диффузионных печей
предназначена для автоматизированной термической
обработки полупроводниковых пластин, керамических
подложек и материалов при нормальном и пониженном
давлении.
серия установок
ОТЖИГ ТМ
21
22
Групповая обработка пластин
Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Ручная загрузка пластин
Отжиг ТМ
4
Отжиг ТМ
5Отжиг ТМ
6
3 2 3
300 - 1100 300 - 700 300 - 1100
1 15
250
20 12 5
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Диапазон рабочих
температур, ºС
Длина рабочей зоны,
мм
Мощность потребления,
кВт
H, N
2 2
Ar, N ,
2
H₂(O )
2
50800
Ar, N ,
2
H₂
Время охлаждения
до 60 ºС, не более, ч
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЕ
ОСАЖДЕНИЕ СЛОЕВ
Группа горизонтальных диффузионных печей для
автоматизированной высокотемпературной обработки
полупроводниковых пластин, керамических подложек и
материалов при пониженном или нормальном давлении
для осаждения слоев нитрида кремния, оксида кремния,
легированного и нелегированного поликремния.
серия установок
ИЗОТРОН ТМ
ОКСИД ТМ
23
24
Групповая обработка пластин
Ø 76, 100, 150, 200 мм
Безмасляная система откачки
Ручная загрузка пластин
Изотрон
ТМ 1
Изотрон
ТМ 2 Оксид ТМ
1
4 3 4
300 - 900 300 - 1100 300 - 1100
±1,0
20 12 14
Рабочие газы
Количество газовых
линий
Диапазон рабочих
температур, ºС
Мощность потребления,
кВт
Ar, N ,
2
SiH4
Ar, N ,
2
NH₃,
SiH Cl
2 2
О, N , H ,
222
HCl
Неравномерность
температуры в
рабочей зоне, ºС ±1,0 ±2,0
±1,5±1,0 ±1,0
Нестабильность
температуры в
рабочей зоне, ºС
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ
ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
серия установок
ИМПЛАНТЕР ТМ
ИМПЛАНТЕР ТМ-200Т
Среднетоковый
ДИАПАЗОН ЭНЕРГИЙ ИОНОВ:
от 0,2 кэВ до 2 кэВ
(для ионов B+ и BF2+)
от 2 кэВ до 270 кэВ
(для 1-зарядных ионов)
от 270 кэВ до 810 кэВ
(для 2-х и 3-х зарядных ионов)
ИМПЛАНТЕР ТМ-200В
Высокоэнергетический
ДИАПАЗОН ЭНЕРГИЙ ИОНОВ:
от 10 кэВ до 1000 кэВ
(для 1-зарядных ионов)
от 1000 кэВ до 3000 кэВ
(для 2-х и 3-х зарядных ионов)
25
Наша команда всегда готова сотрудничать со специалистами, которые
внесут вклад в дальнейшее развитие предприятия. АО НИИТМ в поиске
квалифицированных кадров по специальностям:
■ конструктор;
инженер-разработчик принципиальных схем;■
инженер-программист;■
инженер-технолог.■
Предприятие постоянно развивает кадровую политику и социальный
пакет работников для обеспечения комфортных условий труда.
Связаться с отделом персонала АО НИИТМ можно по электронной почте
job@niitm.ru.
26
КАРЬЕРА В НИИТМ
