Предназначены для нанесения пленок на полупроводниковые пластиныметодом магнетронного распылениядисковой мишени из вращающейся разрядной зоны в производстве БИС иСБИС.Могут использоваться в экспериментальных и промышленных вакуумныхустановках индивидуальной обработкипластин
Особенности:
катод с дисковой мишенью;
комбинированный магнитный блок с электроприводом вращения центральнойсекции;
кольцевой анод с развитой внутренней поверхностью;
прогрев и охлаждение водой катода и анода;
наружный экран, обеспечивающий безопасную работу устройства в ВЧ режиме;
нанесение пленок проводящих материалов в режиме постоянного тока и пленок диэлектрических материалов в ВЧ режиме.
Технические характеристики
Максимальная мощность разряда, кВт
9
Неравномерность наносимых пленок по толщине, %
при диаметре пластин 100, 125 мм
±(2-3)
при диаметре пластин 150, 200 мм
Диаметр условного прохода присоединительного фланца, мм
250
Расход холодной воды температурой (10±15) 0С под давлением (3-4)х10-5Па, м3/с, не менее