Предназначено для нанесения пленок на полупроводниковые пластины методом магнетронного распыления вращающихся мишеней в производстве БИС и СБИС. Может использоваться в экспериментальных и промышленных вакуумных установках индивидуальной обработки пластин, на пример «Оратория - 9», «Оратория - 38».
Особенности:
три автономных магнетронных узла с дисковыми мишенями малого диаметра;
вращение магнетронных узлов относительно центральной оси;
прогрев и охлаждение водой катодов магнетронных узлов в процессе вращения;
подключение катодов к индивидуальным источникам питания с помощью коллекторного узла;
фильтр защиты источников питания для надежного функционирования устройства при подаче ВЧ напряжения смещения на подложкодержатель;
нанесение пленок на пластины со ступенчатым рельефом;
нанесение многокомпонентных пленок заданного состава, достигаемого регулированием мощности магнетронных узлов;
нанесение пленок проводящих материалов, включая тугоплавкие и драгоценные металлы, и пленок, обладающих свойствами высокотемпературной сверхпроводимости;