РќРђРЈР§РќРћ Р?ССЛЕДОВАТЕЛЬСКР?Р™ Р?РќРЎРўР?РўРЈРў ТОЧНОГО РњРђРЁР?НОСТРОЕНР?РЇ
 
 
 
 
 
 
Russian   English
 
Модернизация оборудования > Физико-термическое СТО > Эпиквар-121 МТ

версия для печати

Установка наращивания эпитаксиальных слоев кремния различной толщины (модернизированная)
«Эпиквар-121 МТ» («УЭ.ПГЭ-10/150-020»)

Назначение и применение:
  • Наращивание эпитаксиальных слоев кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на кремниевых пластинах преимущественно хлоридным методом осаждения из газовой фазы в производстве изделий микроэлектроники.
  • Работа в автоматическом режиме автономно и в составе технологических модулей с управлением из чистой зоны.
  • Оснащение:
  • Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-радиационным нагревом пластин.
  • Система контроля герметизации реактора.
  • Высокоточный испаритель кремнийсодержащего реагента.
  • Многоканальная газовая система с регуляторами расхода газа и реагента.
  • Датчики утечек водородсодержащих реагентов.
  • Взрывобезопасная проточная система воздушного охлаждения реактора.
  • Система нейтрализации отработанных реагентов (без сжигания).
  • Система блокировок безопасности.
  • Микропроцессорная система управления (МПСУ), обеспечивающая:
  • - работу установки в автоматическом режиме;
    - стабилизацию и допусковый контроль параметров технологического процесса;
    - диагностику работоспособности узлов и систем;
    - архивацию полученных данных,
    - создание библиотеки рецептов техпроцессов,
    - вывод информации на дисплей.
    Особенности:
  • Переотражение излучаемой энергии, движение газов сверху вниз с минимальной турбулентностью.
  • Снижение дефектности эпитаксиальных структур.
  • Высокая воспроизводимость процессов и высокая однородность осаждаемых слоев.
  • Возможность использования различных источников кремния (реагентов).
  • Газовое легирование примесями n- и р-типа.

  • Схема Установки

    Техническая Характеристика
    Режим работы: технологический процесс - автоматический
    перезагрузка пластин - ручная
    Максимальный диаметр обрабатываемых пластин 150 мм
    Производительность при обработке пластин: диаметром 150 мм - 10 пластин/цикл
    диаметром 100 мм - 24 пластин/цикл
    диаметром 76 мм - 40 пластин/цикл
    Уровень фонового легирования не менее 300 Ом·см
    Уровень управляемого легирования до 100 Ом·см
    Уровень дефектности слоев: количество шипов на пластине - 5
    дефекты упаковки - 10 см–2
    коэффициент заполнения линиями скольжения - не более 0,2 Клс
    Типовая однородность слоев (толщиной 90 мкм, удельным сопротивлением 45 Ом•см):
    Однородность слоёв Толщина Уд. сопротивл.
    по пластине: ±5 % ±7 %
    для 90% измеренных точек в трех последовательных процессах: ±7 % ±10 %
    Количество реакторов 1
    Диапазон рабочих температур 900/1250°С
    Неравномерность температурного поля в зоне размещения пластин не более ±10°С
    Невоспроизводимость рабочей температуры от процесса к процессу не более ±5 °С
    Скорость нагрева и охлаждения подложкодержателяв диапазоне температур от 900 до 1250 °С (20/100) ± 10 °С/мин
    Возможные источники кремния (реагента): SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4
    Рабочие газы: H2, N2, НСl, AsH3, РН3, B2H6, сжатый воздух
    Частота индукционного нагрева 8 / 10 кГц
    Источник нагрева тиристорный преобразователь частоты “Петра – 0115А”
    Электропитание установки: • Трёхфазная сеть переменного тока с нулевым проводом:
    – напряжением 380/220 В;
    – частотой 50 Гц.
    • Мощность потребления - не более 160кВА
    Габаритные размер 5000 х 2400 х 3900 мм
    Масса не более 3 500 кг

    Модернизация действующих (восстановленных) установок
    Узлы, системы
    Цель
    Модернизация
    Блок реактора Повышение эффективности и срока службы отражающего покрытия. Отказ от золоченых пластин. Нанесение отражающего покрытия на электрохимполированную поверхность.
    Газовая система Снижение привносимой дефектности.Повышение надёжности. Упрощение обслуживания. Установка электрохимполированных трубок, пневмоуправляемых клапанов, VSR-металлических уплотнений, современной элементной базы.
    МПСУ Внедрение системы управления на базе IBM-совместимого компьютера и промышленного контроллера с набором интерфейсных плат. Применение современных датчиков.
    Примечание. По согласованию с заказчиком модернизация может быть проведена для других узлов и систем установки.
     
             
       
      Весь дизайн «Кукумбер» 2005.
    Все права защищены.