РќРђРЈР§РќРћ Р?ССЛЕДОВАТЕЛЬСКР?Р™ Р?РќРЎРўР?РўРЈРў ТОЧНОГО РњРђРЁР?НОСТРОЕНР?РЇ
 
 
 
 
 
 
Russian   English
 
Наши разработки > Вакуумное оборудование > Плазма ТМ-200

Вакуумная установка плазменного травления наноструктур "ПЛАЗМА  ТМ-200"


Назначение: 
Плазмохимическое и реактивно-ионное травление проводящих и диэлектрических материалов, в том числе для формирования наноструктур и микроэлектронных механических систем (МЭМС).

Особенности: 
• Высокочастотный источник индуктивно связанной плазмы (ICP);
• Шлюзовая камера поштучной загрузки – выгрузки подложек или подложкодержателя диаметром до 200 мм (200х200 мм);
• Безмаслянная химически стойкая система откачки на базе турбомолекулярного и форвакуумного насосов;
• Гелиевое охлаждение подложек на рабочем столе;
• Микропроцессорная система управления;
• Возможность встраивания в «чистую» комнату;
• Возможность объединения в кластерный комплекс - стыковка отдельных установок через шлюзовую камеру или с платформой транспортно-загрузочного модуля.

Характеристика:

Неравномерность травления........................................+ 2 %
Скорость анизотропного травления:
 – кремния...................................................................1–3 мкм/мин
 – двуокиси кремния, кварца, стекла «пирекс».............0,5–1 мкм/мин.
 Аспектное соотношение..............................................1/10–1/30

 

Схема установки

Примеры профилей травления кремниевых структур через фоторезистивную маску

 

 

          

 

          

 
         
   
  Весь дизайн «Кукумбер» 2005.
Все права защищены.