|
Назначение:
Травление тонких диэлектрических (SiO₂,
Si₃N₄)
и металлических слоёв (Мо, Cr и др.), а также
полупроводниковых материалов (GaAs, Si и др.) методом плазмохимического реактивно-ионного
травления.
Особенности:
Индивидуальная обработка подложек до Ø150мм
(100х100мм);
Откачка реактора до предельного разряжения 0,5
Па;
Поддержание стабильности ВЧ разряда в
диапазоне рабочих давлений 2÷30 Па;
Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде –
подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
Регулирование и автоматическое поддержание
уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт;
Водяное охлаждение подложкодержателя;
Автоматизированное управление от
персонального компьютера;
Потребляемая мощность не более 3 кВт.
Площадь, занимаемая одной установкой ~ 1,5
м².
| 
