Назначение:

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление диэлектрических и металлических плёнок

Особенности:

Индивидуальная обработка подложек до Ø100мм (100х100мм);

Реактор с источником ICP плазмы;

Откачка реактора до предельного разряжения 5·10⁻⁴Па;

Поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5÷5 Па;

Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;

Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт;

Охлаждение обрабатываемых подложек с подачей гелия;

Автоматизированное управление от персонального компьютера;

Мощность потребления не более 3 кВт.

Площадь, занимаемая одной установкой ~ 1,5 м².

Рабочая камера;

Охлаждаемый  подложкодержатель;

ВЧ генератор 13,56 Мгц, 300 Вт;

ВЧ генератор 13,56 Мгц, 400 Вт;

Устройство согласования генератора с нагрузкой;

Вакуумная система на базе механического насоса Е2М40 с вакуумметром Pfeiffer;

Газовая система – включает прецизионные  регуляторы расхода газа РРГ-10, ручные запорные краны, регуляторы давления, манометры, электромагнитные клапаны;

Система водяного охлаждения рабочей камеры;

Микропроцессорная система управления.