Назначение:

Осаждение диэлектрических слоёв (SiO₂, Si₃N₄) из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде.

Особенности:

Индивидуальная обработка подложек до Ø100мм (100х100мм);

Реактор с источником ICP плазмы

Откачка реактора до предельного разряжения 1·10⁻⁴Па;

Поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5÷5 Па;

Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;

Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт;

Нагрев подложкодержателя до 400°С;

Автоматизированное управление от персонального компьютера;

Потребляемая мощность не более 3 кВт.

Площадь, занимаемая одной установкой ~ 1,5 м².

Примечание:

Возможна реализация плазмохимического селективного и реактивно-ионного анизотропного травления при охлаждаемом подложкодержателе.

Рабочая камера с ICP источником ;

Нагреваемый подложкодержатель;

Два ВЧ генератора 13,56 Мгц, 300 Вт;

Устройство согласования генератора с нагрузкой;

Вакуумная система на базе механического насоса Е2М40 с вакуумметром Pfeiffer;

Газовая система – включает  регуляторы расхода газа РРГ-10, ручные запорные краны, регуляторы давления, манометры, электромагнитные клапаны;

Система водяного охлаждения;

Микропроцессорная система управления.