Назначение:

Осаждение диэлектрических слоёв (SiO₂, Si₃N₄) из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде.

Особенности:

Индивидуальная обработка подложек до Ø150мм (100х100мм);

Откачка реактора до предельного разряжения 0,5Па;

Поддержка стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 2÷30 Па;

Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт;

Нагрев подложкодержателя до 350°С;

Автоматизированное управление от персонального компьютера;

Потребляемая мощность не более 3 кВт.

Площадь, занимаемая одной установкой ~ 1,5 м².

Примечание:

Возможна реализация процесса плазмохимического селективного травления при охлаждаемом подложкодержателе.

Рабочая камера;

Нагреваемый подложкодержатель;

ВЧ генератор 13,56 Мгц, 300 Вт;

Устройство согласования генератора с нагрузкой;

Вакуумная система на базе механического насоса Е2М40 с вакуумметром Pfeiffer;

Газовая система – включает прецизионные регуляторы расхода газа РРГ-10, ручные запорные краны, регуляторы давления, манометры, электромагнитные клапаны;

Система водяного охлаждения;

Микропроцессорная система управления.