Назначение: 
Осаждение проводящих и диэлектрических материалов (SiO2,  Si3N4,  Si,  SiC) в вакуумном реакторе из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде, в том числе для формирования алмазоподобных плёночных структур и выращивания углеродных нанотрубок.

Особенности:
• Источник плазмостимулированного газофазного осаждения (PECVD).
• Шлюзовая камера поштучной загрузки – выгрузки подложек или подложкодержателя диаметром до 200 мм (200х200 мм).
• Рабочий стол с нагревателем до 800^oС и источником напряжения смещения на подложку.
• Безмаслянная система откачки на базе химически стойких турбомолекулярных и форвакуумных насосов.
• Микропроцессорная система управления.
• Возможность встраивания в «чистую» комнату.
• Возможность объединения в кластерный комплекс - стыковка отдельных установок через шлюзовую камеру или с платформой транспортно-загрузочного модуля.

Схема и характеристика установки

	Неравномерность пленок по толщине (подложка диаметром 150 мм)  ± 3 %
"Ребристые" нанотрубки	"Перьевые" нанотрубки
"Конусные" нанотрубки	Массив нанотрубок