Вакуумная установка плазмохимического осаждения плёнок из газовой фазы "АЛМАЗ ТМ-200"
Назначение: Осаждение проводящих и диэлектрических материалов (SiO2, Si3N4, Si, SiC) в вакуумном реакторе из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде, в том числе для формирования алмазоподобных плёночных структур и выращивания углеродных нанотрубок.
Особенности: • Источник плазмостимулированного газофазного осаждения (PECVD). • Шлюзовая камера поштучной загрузки – выгрузки подложек или подложкодержателя диаметром до 200 мм (200х200 мм). • Рабочий стол с нагревателем до 800oС и источником напряжения смещения на подложку. • Безмаслянная система откачки на базе химически стойких турбомолекулярных и форвакуумных насосов. • Микропроцессорная система управления. • Возможность встраивания в «чистую» комнату. • Возможность объединения в кластерный комплекс - стыковка отдельных установок через шлюзовую камеру или с платформой транспортно-загрузочного модуля.
Схема и характеристика установки
Неравномерность пленок по толщине (подложка диаметром 150 мм) ± 3 %
