Разрабатывая технологическое оборудование, мы предусматриваем
возможность дальнейшего его совершенствования, как в области создания
промышленных технологий, так и в области проведения научных исследований и
учебных процессов,
Комплект вакуумного оборудования индивидуальной
обработки пластин для микро- и нанотехнологий разработан с учётом этих
тенденций. При этом:
- Используемое модульное построение оборудования обеспечивает широкие возможности
для дальнейшего его развития в нескольких перспективных направлениях.
- Конструктивные решения,
используемые при разработке этого вида оборудования, дают возможность
объединения нескольких установок в кластерные
комплексы из вакуумных установок, что позволяет интегрировать ряд
технологических операций и вести обработку пластины без её «выхода» на
атмосферу.
Дальнейшие перспективы в развитии нашего
оборудования мы видим в возможном использовании различных реакторов
на одной унифицированной вакуумной базе - (Вакуумный загрузочный модуль ВЗМ-200),
отработанной, испытанной и надёжной. Что позволит создавать отработанное,
испытанное и надёжное технологическое
оборудование, обладающее новыми, инновационными возможностями. В этом случае на
первый план выступают разработки в области создания источников обрабатывающих
сред – реакторов, которые мы выполняем в творческом содружестве с различными
научными группами академических организаций, как в России, так и за рубежом.
Применение новых, инновационных решений в
области создания реакторов диктуется новыми задачами, возникающими при
реализации вновь создаваемых технологий, в новых, развивающихся областях,
например, в области нанотехнологий при решении задач микро – и наноэлектроники.
В
настоящее время мы проводим конструкторские и экспериментальные
работы в области разработки и исследования ряда перспективных
конструкций реакторов, в том числе:
1. Ионно-плазменный источник на базе геликонного
разряда с плоской возбуждающей антенной для высокоселективного
плазмохимического травления материалов функциональных слоев. В геликонном
источнике плазмы, представляющем собой индукционный ВЧ разряд в магнитном поле,
вклад ВЧ мощности осуществляется во всем объеме плазмы электромагнитными
волнами, которые возбуждаются антенной и могут распространяться далеко вглубь
плазмы даже при высоких давлениях рабочего газа.
2.
Источник ионно-плазменного потока с протяженной зоной ускорения для
предварительной ионной очистки поверхности пластин перед нанесением
функциональных слоев.
3. Вакуумно-дуговой
источник плазмы, работающий в магнитном поле, решает задачи генерации свободного от микрокапель потока плазмы
металла из расходного электрода и ускорения ионов в потоке. Может быть
использован, в частности, для осаждения каталитических слоев с подслоями,
углеродосодержащих слоев,а так же для нанесения
наноструктурированных функциональныхпокрытий с размерами кристаллов в десятки
нанометров, которые могут наноситься на
поверхности деталей узлов и механизмов, и имеют высокую коррозионную, износо- и
термостойкость, а так же повышенные
антифрикционные характеристики.
4.Комбинированная
двухразряднаяплазменнаясистема, содержащая в себе геликонный и магнетронный
плазменные источники для реализации процессовгазофазного осаждения и
плазмохимического травления пластин большого диаметра(до 450 мм)
5.Гибридная
плазменная система, содержащая в себе геликонный и вакуумно-дуговой источники
плазмы.
Разработанные геликонный и
вакуумно-дуговой источники совместимы по рабочему давлению. Большая плотность
потока ионов рабочего газа из геликонного источника и высокая энергия ионов
металла-катализатора из вакуумно-дугового источника создают благоприятные
условия для контролируемого нанесения наноструктурированных каталитических
слоев без дополнительного подогрева подложки. При этом из технологического
цикла также исключается операция нанесения переходного адгезивного
подслоя.
Результаты исследования
плазменных систем такого типа в процессе
формирования нанокластеров переходных металлов опубликованы в
журналах«Наноиндустрия», №1, 2011 г.«Наноиндустрия», №2, 2010 г.,«Наноиндустрия»,
№4, 2009 г.,
