Установка высокотемпературной обработки материалов в вакууме “Монооксид 1”
Назначение:
Реализация технологических процессов получения особочистых материалов в лабораторных и производственных условиях микро-, наноэлектроники, машиностроения и других областей: • высокотемпературная обработка в вакууме материалов и деталей; • синтез нанопорошков SiO, SiC, Si3N4, и других; • возгонка и осаждение материалов.
Особенности:
• Вращающийся плазменный реактор диаметром 130 мм. • Система наклона и вращения реактора. • Высокочастотный нагрев до 2000 oС. • Газовая система (A2, N2, H2, CH4). • Система откачки на базе роторного и форвакуумного насосов. • Мощность установки не более 160 кВт. • Микропроцессорная система управления.