НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ

Наши разработки > Физико-термическое оборудование > «ЕТМ 100-150/200»

Эпитаксиальная установка индивидуальной обработки подложек диаметром до 200 мм

“ЕТМ 100-150/200” (Совместная разработка с ЗАО "Электронточмаш")

Назначение:

Осаждение эпитаксиальных слоёв кремния и германия на монокристаллические подложки кремния и сапфира при научных исследованиях, отработке технологических процессов и мелкосерийном производстве в областях микроэлектроники и нанотехнологий.

Особенности:

·         Кварцевый горизонтальный реактор щелевого типа с управляемой газодинамикой.

·         ИК-нагрев с контролем температуры по 5-ти зонам.

·         Перегрузка подложек с системой шлюзования.

·         Многоканальная система газораспределения с цифровыми регуляторами расхода газов и металлическими уплотнителями типа VCR.

·         Взрывобезопасная система воздушного охлаждения реактора с регулированием и стабилизацией температуры потока.

·         Контроллер блокировок безопасности.

·         Высокая воспроизводимость и однородность технологических параметров.

·         Низкая привносимая дефектность эпитаксиальных структур.

·         Автоматизированное управление технологическим процессом с использованием промышленного контроллера.

·         Библиотека технологических процессов.

Технические характеристики:

Режим работы:

o        технологический процесс                                        – автоматический;

o        перезагрузка подложек                                           – полуавтоматическая

                                                                                       (линейный манипулятор).

Диаметр обрабатываемых подложек                                – до 200 мм.
Производительность типовая (толщина плёнки 4 мкм)      – 6 подложек/час.
Уровень фонового легирования не менее                        – 5 кОм●см.
Уровень дефектности слоев по линиям скольжения,         – Клс < 0,01.
Типовая однородность эпитаксиальных слоёв:

o        толщина                                                                 – 3%;

o        удельное сопротивление                                         – 4%;

Диапазон рабочих температур                                        – 550-1250°С;
Неравномерность температурного поля

      в зоне размещения подложки                                    – не более 5°С;

Возможные источники кремния                                        – SiCl₄, SiH₄, SiHCl₃, SiH₂Cl₂;
Возможные источники германия                                       – GeH₄;
Электропитание установки:

o        трёхфазная сеть с нулевым проводом         – 380/220В; 50 Гц;

o        потребляемая мощность                               – не более 70 кВт.

Габаритные размеры (ШхГхВ):

o        Модуль реактора                                      – 910х2220х1720 мм.

o        Шкаф газораспределения                         – 1200х600х1965 мм.
o        Шкаф управления и силового питания         – 630х630х1730 мм.

Масса,                                                                       не более 500 кг.