Назначение:

Осаждение эпитаксиальных слоев кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на кремниевых или сапфировых подложках хлоридным или хлоридно-гидридным методом осаждения из газовой фазы в производстве изделий микроэлектроники.

Особенности:

·         Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-радиационным нагревом пластин.

·         Система контроля герметизации реактора.

·         Высокоточный испаритель кремнийсодержащего реагента.

·         Многоканальная газовая система с регуляторами расхода газа и реагента.

·         Контроль утечек водородсодержащих реагентов.

·         Микропроцессорная система управления (МПСУ).

·         Система блокировок безопасности.

·         Переотражение излучаемой энергии, движение газов сверху вниз с минимальной турбулентностью.

·         Низкая дефектность эпитаксиальных структур.

·         Высокая воспроизводимость процессов и высокая однородность осаждаемых слоев.

·         Возможность использования различных источников кремния (реагентов).

·         Газовое легирование примесями n- и р-типа.

Технические характеристики:

·         Режим работы:

o        технологический процесс– автоматический;

o        перезагрузка подложек– ручная.

·         Диаметр обрабатываемых подложек – до 150 мм.

·         Количество одновременно обрабатываемых подложек:

o        Ø150 мм– 10 шт.;

o        Ø100 мм– 24 шт.;

o        Ø76 мм– 40 шт..

·         Уровень фонового легирования– не менее  1500 Ом·см.

·         Уровень управляемого легирования– до  150 Ом·см.

·         Уровень дефектности слоев по линиям скольжения     – Клс < 0,2.

·         Типовая однородность слоев

(толщина 90 мкм, удельное сопротивление 45 Ом•см):

o        толщина – ±5 %

o        удельное сопротивление – ± 7%.

·         Диапазон рабочих температур– 900-1250°С.

·         Неравномерность температурного поля

в зоне размещения пластин– не более ±10 °С.

·         Невоспроизводимость рабочей температуры

от процесса к процессу– не более ±5 °С.

·         Скорость нагрева и охлаждения подложкодержателя

в диапазоне рабочих температур– (20¸100) ±10°С/мин.

·         Возможные источники кремния (реагента):       SiCl₄, SiHCl₃, SiH₂Cl₂, SiH₄.

·         Рабочие газы: H₂, N₂, НСl, AsH₃, РН₃, B₂H₆, сжатый воздух.

·         Частота индукционного нагрева– 8  кГц.

·         Электропитание установки:

o        трёхфазная сеть с нулевым проводом– 380/220В;  50 Гц;

o        потребляемая мощность– не более  140 кВт.

·         Габаритные размеры (ШхГхВ)  – 800х3000х2700 мм.

·         Масса  – не более 3500 кг.