ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ
ИЗ КАССЕТЫВ КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 300

НАЗНАЧЕНИЕ:

Плазмохимическое травление диэлектрических (SiO2, Si3N4 и другие),
металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и полимерных
слоев на подложках диаметром до 300 мм.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Обработка пластин в одном технологическом цикле:
  60х48 мм — 19 шт., Ø 76 мм — 13 шт., Ø 100 мм — 7 шт.,
  Ø 150 мм — 3 шт., Ø 200 мм — 1 шт., Ø 300 мм — 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек на носителе
  из кассеты в кассету;
• Транспортная система переноса подложек на носителе из шлюзовой камеры в
  рабочую камеру на основе манипулятора;
• Нагрев стенки реактора до 60°С;
• Гелиевое охлаждение и механический прижим носителя;
• Рабочие газы: Cl₂, HBr, SF₆, CF₄, CHF₃, O₂, Ar, He и другие;
• Мощность потребления не более 21 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

    Скачать PDF