АО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
ПЛАЗМА ТМ 300
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ
ИЗ КАССЕТЫВ КАССЕТУ
ПЛАЗМА ТМ 300
НАЗНАЧЕНИЕ:
Плазмохимическое травление диэлектрических (SiO2, Si3N4 и другие),
металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и полимерных
слоев на подложках диаметром до 300 мм.
ОСОБЕННОСТИ
СХЕМА УСТАНОВКИ
Обработка пластин в одном технологическом цикле:
60х48 мм — 19 шт., Ø 76 мм — 13 шт., Ø 100 мм — 7 шт.,
Ø 150 мм — 3 шт., Ø 200 мм — 1 шт., Ø 300 мм — 1 шт.;
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек на носителе
из кассеты в кассету;
Транспортная система переноса подложек на носителе из шлюзовой камеры в
рабочую камеру на основе манипулятора;
Нагрев стенки реактора до 60°С;
Гелиевое охлаждение и механический прижим носителя;
Рабочие газы: Cl₂, HBr, SF₆, CF₄, CHF₃, O₂, Ar, He и другие;