18.01.2023
Одной из последних разработок АО НИИТМ стала кластерная установка магнетронного нанесения металлов с индивидуальной обработки пластин диаметром 150-200 мм по принципу «из-кассеты-в-кассету» с четырьмя технологическими модулями магнетронного распыления с возможностью ВЧ смещения пластин и формирования заданного магнитного поля с использованием двух внешних электромагнитных катушек.
Кластерная система предназначена для конформного нанесения в едином вакуумном цикле многослойных металлических пленок на высокоаспектные структуры, в том числе нанесения адгезионного, барьерного и медного слоев (TaN-Ta-Cu, Ti-TiN-Cu) при формировании медной разводки и сквозных контактов через кремниевые пластины (Through Silicon Via — TSV). Источники питания магнетронов мощностью до 10 кВт позволяют проводить распыление мишени в режимах постоянного и импульсного тока (HiPIMS). Установка имеет систему предварительной очистки пластин путем термического обезгаживания и ВЧ ионно-плазменного травления. Кластерная система имеет многоуровневую компьютерную систему управления транспортом и технологическими модулями по заданной технологической программе с использованием собственного программного обеспечения, включая возможность управления процессами в “on line” режиме. Кластерная установка позволяет получать покрытия с равномерностью до ±3%. Одним из ближайших аналогов такой кластерной установки является, например, установка Evatec Radiance BPM (производства Швейцарии). В качестве конкурентных преимуществ, которыми обладает данная установка, в отличие от швейцарской, можно назвать следующие характеристики:
•Увеличенный коэффициент использования мишени, за счет использования магнетронов с вращающейся магнитной системой, что позволяется наиболее полно вырабатывать материал мишени, и, следовательно, продлить срок ее службы.
•Возможность точно контролировать степень равномерности нанесенных покрытий при помощи быстрого и доступного изменения конфигурации магнитной системы, скорости ее вращения и других технологических параметров.
•Возможность предварительной ВЧ-очистки обрабатываемых пластин в шлюзовой камере.
