Установка газофазного выращивания эпитаксиальных слоёв с групповой обработкой подложек
Назначение:
Осаждение эпитаксиальных слоёв кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом осаждения из газовой фазы.
Особенности:
- Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-радиационным нагревом подложек;
- Высокочастотный испаритель кремнийсодержащего вещества;
- Неограниченный срок службы кварцевого реактора;
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 100 кВт;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~10 м2.
Скачать PDF