Установка газофазного выращивания эпитаксиальных слоёв с индивидуальной обработкой пластин диаметром до 200 мм
Назначение:
Осаждение эпитаксиальных слоёв кремния и германия на монокристаллические подложки кремния или сапфира.
Особенности:
- Кварцевый реактор горизонтального типа с управляемой газодинамикой;
- Загрузка подложек Ø100, 150, 200 мм;
- ИК-нагрев с контролем температуры по пяти зонам;
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 70 кВт;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~ 10 м2.