ЭПИ ЕТМ-И200

Установка газофазного выращивания эпитаксиальных слоёв с индивидуальной обработкой пластин диаметром до 200 мм

Назначение:

Осаждение эпитаксиальных слоёв кремния и германия на монокристаллические подложки кремния или сапфира.

Особенности:

• Кварцевый реактор горизонтального типа с управляемой газодинамикой;
• Загрузка подложек Ø100, 150, 200 мм;
• ИК-нагрев с контролем температуры по пяти зонам;
• Микропроцессорная система управления;
• Мощность потребления не более 70 кВт;
• Площадь, занимаемая одной установкой ~ 10 м².

    Скачать PDF