+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ЭПИ ЕТМ-И200

Установка газофазного выращивания эпитаксиальных слоёв с индивидуальной обработкой пластин диаметром до 200 мм

эпиетми200

Назначение:

Осаждение эпитаксиальных слоёв кремния и германия на монокристаллические подложки кремния или сапфира.

Особенности:

  • Кварцевый реактор горизонтального типа с управляемой газодинамикой;
  • Загрузка подложек Ø100, 150, 200 мм;
  • ИК-нагрев с контролем температуры по пяти зонам;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Мощность потребления не более 70 кВт;
  • Площадь, занимаемая одной установкой ~ 10 м2.

эпиетми200-2   9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF