МАЛОГАБАРИТНАЯ УСТАНОВКА
ГАЗОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ

ЭПИСЕНД ТМ

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из
твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-
  радиационным нагревом подложек;
• Ручная загрузка/выгрузка пластин;
• Графитовый подложкодержатель под 3 пластины Ø100 мм;
• Микропроцессорная система управления;
• Преобразователь частоты для питания индуктора мощностью до 60
  кВт и рабочей частотой 22 кГц;
• Жидкостной скруббер для нейтрализации отработанных продуктов;
• Рабочие газы: N₂, H₂, HCl;
• Мощность потребления не более 60 кВт.

  скачать pdf