+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ЭПСЕНД ТМ

эписенд1

МАЛОГАБАРИТНАЯ УСТАНОВКА
ГАЗОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ

ЭПИСЕНД ТМ

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из
твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира.

эписенд2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно-
    радиационным нагревом подложек;
  • Ручная загрузка/выгрузка пластин;
  • Графитовый подложкодержатель под 3 пластины Ø100 мм;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Преобразователь частоты для питания индуктора мощностью до 60
    кВт и рабочей частотой 22 кГц;
  • Жидкостной скруббер для нейтрализации отработанных продуктов;
  • Рабочие газы: N₂, H₂, HCl;
  • Мощность потребления не более 60 кВт.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

 

эписенд3