УСТАНОВКА ГАЗОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ С ГРУППОВОЙ ОБРАБОТКОЙ ПОДЛОЖЕК

ЭПИКВАР ТМ

НАЗНАЧЕНИЕ:

Газофазное осаждение моно- и поликристаллических слоев кремния в
широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические
подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно- радиационным нагревом подложек;
• Испаритель(барботер) кремнийсодержащего вещества;
• Система непрерывной подачи кремнийсодержащего
  вещества (танк);
• Ручная загрузка/выгрузка пластин;
• Графитовый подложкодержатель под 24 пластины Ø100 мм;
• Микропроцессорная система управления;
• Преобразователь частоты для питания индуктора мощностью
  до 160 кВт и рабочей частотой 8 кГц;
• Жидкостной скруббер для нейтрализации отработанных
  продуктов;
• Рабочие газы: SiCl₄, H₂, N₂, HCl;
• Мощность потребления не более 160 кВт.

  скачать pdf