+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ЭПИКВАР ТМ

эпиквар1

УСТАНОВКА ГАЗОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВС ГРУППОВОЙ ОБРАБОТКОЙ ПОДЛОЖЕК

ЭПИКВАР ТМ

НАЗНАЧЕНИЕ:

Газофазное осаждение моно- и поликристаллических слоев кремния в
широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические
подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом.

эпиквар2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Кварцевый реактор цилиндрического типа с индукционно- радиационным нагревом подложек;
  • Испаритель(барботер) кремнийсодержащего вещества;
  • Система непрерывной подачи кремнийсодержащего
    вещества (танк);
  • Ручная загрузка/выгрузка пластин;
  • Графитовый подложкодержатель под 24 пластины Ø100 мм;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Преобразователь частоты для питания индуктора мощностью
    до 160 кВт и рабочей частотой 8 кГц;
  • Жидкостной скруббер для нейтрализации отработанных
    продуктов;
  • Рабочие газы: SiCl₄, H₂, N₂, HCl;
  • Мощность потребления не более 160 кВт.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

 

эпиквар3