КОМПЛЕКТ УСТАНОВОК ПОЛУЧЕНИЯ
ВЫСОКОЧИСТЫХ ХЛОРИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ
МЕТОДОМ РЕКТИФИКАЦИИ

ХЛОРИД

НАЗНАЧЕНИЕ:

Получение высокочистых хлоридных материалов с чистотой
99,99994 методом периодической высокотемпературной ректификации.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Хлоридные материалы для очистки:
  Салют 1 – тетрахлорид кремния (SiCl₄);
  Салют 2 – трихлорсилан (SiHCl₃);
  Салют 3 – тетрахлорид германия ( GeCl₄);
  Салют 4 – треххлористый мышьяк ( AsCl₃);
• Автоматизированное управление;
• Химически стойкая вакуумная система откачки;
• Габариты технологических шахт для каждой
  колонны (ДxШхВ) – 1,5х1,0х6,8 м;
• Мощность потребления не более 20 кВт.

    Скачать PDF