Комплект установок получения высокочистых хлоридных материалов методом ректификации
Назначение:
Получение высокочистых хлоридных материалов с чистотой 99,99994 методом периодической высокотемпературной ректификации в промышленных объёмах.
Особенности:
- Хлоридные материалы для очистки: Салют 1 – тетрахлорид кремния (SiCl4); Салют 2 – трихлорсилан (SiHCl3); Салют 3 – тетрахлорид германия (GeCl4); Салют 4 –треххлористый мышьяк (AsCl3);
- Автоматизированное управление;
- Химически стойкая вакуумная система откачки;
- Габариты технологических шахт для каждой колонны (ДхШхВ) – 1,5х1,0х6,8 м;
- Мощность потребления не более 20 кВт.
Скачать PDF