ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ ПЛАЗМЫ и ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 200-01К

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Плазмохимическое травление поликристаллического
          кремния и нитрида кремния(мелкощелевая изоляция в кремнии).

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
• Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора;
• Нагрев стенок реактора до 60°С;
• Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин на рабочем столе;
• Рабочие газы: Cl2, HBr, SF6, CF4, CHF3, O2, Ar, He и другие;
• Скорость анизотропного травления кремния не менее 0,5-1 мкм/мин;
• Мощность потребления не более 14 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату;
• Может входить в кластерный комплекс.

  скачать pdf