+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ПЛАЗМА ТМ200-01К

Вакуумная установка плазмохимического травления с ICP источником и шлюзовой загрузкой

плазма-200-01к-1

Назначение:

Глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния, процессы высокоскоростного травления полупроводниковых пластин в производстве МЭМС, НЭМС, 2,5D и 3D сборок, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.

Особенности:

  • Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле: Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
  • Нагрев стенки реактора до 60°С;
  • Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He;
  • Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
  • Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;
  • Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и турбомолекулярного насосов;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Мощность потребления не более 16 кВт;
  • Возможность встраивания в чистую комнату;
  • Площадь, занимаемая одной установкой ~ 5 м2.

 

 

 

 

 

 

 

9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF