Вакуумная установка плазмохимического травления с ICP источником и шлюзовой загрузкой
Назначение:
Глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния, процессы высокоскоростного травления полупроводниковых пластин в производстве МЭМС, НЭМС, 2,5D и 3D сборок, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.
Особенности:
- Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле: Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.
- Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
- Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
- Нагрев стенки реактора до 60°С;
- Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He;
- Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
- Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;
- Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и турбомолекулярного насосов;
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 16 кВт;
- Возможность встраивания в чистую комнату;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~ 5 м2.
Скачать PDF