ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ

ПЛАЗМА ТМ 9

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление кварца, пирекса, алмазных плёнок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоёв.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Групповая или индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле: 60х48 мм – 3 шт.; Ø 76, 100, 150 – 1 шт.;
• ВЧ электрод с охлаждением подложек;
• Скорости травления 0,5 — 1,5 мкм/мин;
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде подложкодержателе от 0 до 1000В;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400-600 Вт;
• Мощность потребления не более 7 кВт;
• Рабочие газы: O₂, SF₆, C₄F₈, CHF₃ и др.;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

  скачать pdf