+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ПЛАЗМА ТМ 9

 плазма тм 9_1

ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ

ПЛАЗМА ТМ 9

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление кварца, пирекса, алмазных плёнок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоёв.

плазма тм 9_2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Групповая или индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле: 60х48 мм – 3 шт.; Ø 76, 100, 150 – 1 шт.;
  • ВЧ электрод с охлаждением подложек;
  • Скорости травления 0,5 — 1,5 мкм/мин;
  • Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде подложкодержателе от 0 до 1000В;
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400-600 Вт;
  • Мощность потребления не более 7 кВт;
  • Рабочие газы: O₂, SF₆, C₄F₈, CHF₃ и др.;
  • Безмасляная система откачки;
  • Возможность встраивания в чистую комнату.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

плазма тм 9_3