ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 8

НАЗНАЧЕНИЕ

Реактивно-ионное травление алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме, а также тонких металлических слоев, диэлектрических слоев, кремниевых слоев, материалов группы А3В5.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка пластин Ø 76, 100, 150мм на рабочем столе в одном технологическом цикле;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин из кассеты в кассету;
• Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000В;
• Рабочие газы: Cl, BCl₃, He и др.;
• Скорость травления Al 3000 – 5000 Å в минуту;
• Мощность потребления не более 12 кВт;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ электрода-подложкодержателя в диапазоне 50-400 Вт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

  скачать pdf