ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 7

НАЗНАЧЕНИЕ

Травление диэлектрических слоев и полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка пластин Ø 76, 100, 150мм на рабочем столе в одном технологическом цикле;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин из кассеты в кассету;
• Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
• Рабочие газы: Ar, He, CF₄, SF₆, C₃F₈, CHF₃ и др.;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности
• ВЧ электрода-подложкодержателя в диапазоне 50-400 Вт;
• Мощность потребления не более 6,5 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

  скачать pdf