ПЛАЗМА ТМ 5 | НИИТМ

Вакуумная установка плазмохимического травления слоёв с ICP источником и шлюзовой загрузкой

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление диэлектрических и металлических плёнок.

Обработка подложек в одном технологическом цикле: 60 х 48 мм – 3 шт.; Ø 76, 100, 150, 200 мм – 1 шт.
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, CF₄;
ВЧ электрод с охлаждением подложек;
Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде- подложкодержателе от 0 до 1000 В;
Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400-600 Вт;
Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и туромолекулярного насосов;
Микропроцессорная система управления;
Мощность потребления не более 7 кВт;
Площадь, занимаемая одной установкой ~ 5 м².