ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ
И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 200-02К

 НАЗНАЧЕНИЕ

Глубокое плазмохимическое анизотропное травление
кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же
сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле: Ø 76, 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету;
• Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в
  рабочую камеру на основе манипулятора;
• Нагрев стенки реактора до 60°С;
• Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин;
• Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He.;
• Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
• Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;
• Мощность потребления не более 19 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату;
• Может входить в кластерный комплекс.

  скачать pdf