ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

ПЛАЗМА ТМ 200-04

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
• Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора;
• Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
• Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур
  -30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством
  прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
• Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава,
  до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
• Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;
• Безмасляная система откачки.

  скачать pdf