+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ПЛАЗМА ТМ 200-04К

1

ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 200-04К

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности.

плазма тм 200-02к-2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная обработка пластин на рабочем столе:
    Ø 76, 100, 150, 200мм – 1 шт.;
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
  • Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора;
  • Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
  • Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур
    -30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством
    прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
  • Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава,
    до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
  • Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;
  • Безмасляная система откачки;
  • Может входить в кластерный комплекс.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

3