ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ 

ПЛАЗМА ТМ 200-04

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм;
• Транспортная система переноса пластин на основе манипулятора;
• Различные варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер;
• Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
• Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур
  -30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством
  прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
• Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава,
  до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
• Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;
• Безмасляная система откачки;
• Может входить в кластерный комплекс.

  скачать pdf