ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ПЛАЗМА ТМ 200-04К

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка пластин на рабочем столе:
  Ø 76, 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
• Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора;
• Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
• Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур
  -30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством
  прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
• Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава,
  до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
• Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;
• Безмасляная система откачки;
• Может входить в кластерный комплекс.

    Скачать PDF