АО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
ПЛАЗМА ТМ 200-04
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ
ПЛАЗМА ТМ 200-04
НАЗНАЧЕНИЕ
Атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности.
ОСОБЕННОСТИ
СХЕМА УСТАНОВКИ
Обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм;
Транспортная система переноса пластин на основе манипулятора;
Различные варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер;
Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы;
Стол для травления с поддержанием температуры в диапазоне температур
-30 …+100°C, с подачей гелия под пластину, с механическим устройством
прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения;
Система прогрева стенок реактора, изготовленного из алюминиевого сплава,
до температуры +60°С посредством встроенных нагревателей;
Скорость травления SiO2, нм/цикл, 0,1…1, Si, нм/цикл, 0,1…1;