ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

ПЛАЗМА ТМ 200-02

 НАЗНАЧЕНИЕ

Глубокое плазмохимическое анизотропное травление
кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же
сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе
  в одном технологическом цикле: 60х48 мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
• Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры
  в рабочую камеру на основе манипулятора;
• Нагрев стенки реактора до 60°С;
• Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин;
• Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He.;
• Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
• Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;
• Мощность потребления не более 19 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

    Скачать PDF