АО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
ПЛАЗМА ТМ 200-02
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ
ПЛАЗМА ТМ 200-02
НАЗНАЧЕНИЕ
Глубокое плазмохимическое анизотропное травление кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.
ОСОБЕННОСТИ
СХЕМА УСТАНОВКИ
Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48 мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
Нагрев стенки реактора до 60°С;
Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин;
Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He.;
Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;