+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ПЛАЗМА ТМ 200-02

плазма тм 200-02_1

ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ
С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

ПЛАЗМА ТМ 200-02

 НАЗНАЧЕНИЕ

Глубокое плазмохимическое анизотропное травление
кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а так же
сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosh-процесса.

плазма тм 200-02_2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе
    в одном технологическом цикле: 60х48 мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры
    в рабочую камеру на основе манипулятора;
  • Нагрев стенки реактора до 60°С;
  • Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин;
  • Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, C₄F₈, He.;
  • Скорость анизотропного травления кремния не менее 5 мкм/мин;
  • Попеременная подача газа с программируемым временем цикла;
  • Мощность потребления не более 19 кВт;
  • Безмасляная система откачки;
  • Возможность встраивания в чистую комнату.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

плазма тм 200-02_3