Настольная вакуумная установка травления слоёв методом реактивно-ионного травления
Назначение:
Травление тонких диэлектрических и металлических слоёв, а также полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления.
Особенности:
- Рабочая поверхность стола Ø116 мм (80 х 80);
- Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде-подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
- Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ в диапазоне 30-200 Вт;
- Рабочие газы: Ar, SF6, O2, CF4;
- Безмасляная система откачки (агрегат с ТМН60);
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 3 кВт;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~ 1,5 м2.