+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

МВУ ТМ ПЛАЗМА 06

мву тм плазма 06-1

МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ГЛУБОКОГО АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ

МВУ ТМ ПЛАЗМА 06

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое глубокое селективное травление кремниевых пластин.

мву тм плазма 06-2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле:
    до Ø 150 мм – 1 шт.;
  • Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе
    в диапазоне от 0 до 1000 В;
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности
    ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности
    ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400 – 600 Вт;
  • Рабочие газы: Ar, SF₆, C₄F₈;
  • Безмасляная система откачки;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Мощность потребления не более 5,5 кВт.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

мву тм плазма 06-3