МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ГЛУБОКОГО АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ

МВУ ТМ ПЛАЗМА 06

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое глубокое селективное травление кремниевых пластин.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле:
  до Ø 150 мм – 1 шт.;
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе
  в диапазоне от 0 до 1000 В;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности
  ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности
  ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400 – 600 Вт;
• Рабочие газы: Ar, SF₆, C₄F₈;
• Безмасляная система откачки;
• Микропроцессорная система управления;
• Мощность потребления не более 5,5 кВт.

  скачать pdf