МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

Малогабаритная вакуумная установка плазмохимического травления слоев с ICP источником

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное, анизотропное) травление диэлектрических и металлических плёнок.

Рабочая поверхность стола-ВЧ электрода Ø180 мм;
Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде-подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ электрода-подложкодержателя в диапазоне 30-200 Вт;
Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, CF₄;
Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400-600 Вт;
Безмасляная система откачки (ТМН300);
Микропроцессорная система управления;
Мощность потребления не более 3 кВт;
Площадь, занимаемая одной установкой ~ 2,5 м².